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申請（專利）號：CN200810050587.1申請日：2008.04.10

公開（公告）號：CN101257064公開（公告）日：2008.09.03

主分類號：H01L31/18(2006.01)I范疇分類：

分類號：H01L31/18(2006.01)I；C23C14/35(2006.01)I；C23C14/54(2006.01)I

優先權：

申請（專利權）人：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

地址：130033吉林省長春市東南湖大路16號

國省代碼：吉林；22

發明（設計）人：蔣大勇；張吉英；申德振；姚斌；趙東旭；張振中

國際申請：

國際公布：

進入國家日期：

專利代理機構：長春菁華專利商標代理事務所

代理人：王淑秋

分案申請號：

頒證日：

摘要：

本發明屬于半導體光電技術領域，涉及一種MgZnO紫外光電探測器的制備方法，通過交流磁控濺射制備不同帶隙寬度(3.37～4.13eV)的高質量MgZnO合金薄膜，并在此基礎上通過真空熱蒸發和濕法刻蝕的方法制備MSM結構電極的MgZnO紫外光電探測器。采用本發明制備的MgZnO紫外光電探測器具備高的紫外可見比和較低的暗電流等優點，適用于太陽紫外線輻射監控、火焰探測、導彈預警等。

主權項：

一種MgZnO紫外光電探測器的制備方法，其特征在于包括下列步驟：

a.使用交流磁控濺射臺，在襯底溫度為300～600℃條件下，對Mg摩爾濃度為5％～40％的MgZnO合金靶進行濺射，制備出MgZnO合金薄膜；

b.通過真空熱蒸發的方法，在已制備的MgZnO合金薄膜上蒸鍍Au膜。

c.制備金屬—半導體—金屬結構的電極。http://www.ahqiangfeng.com/